SPC多晶体反应烧结碳化硅

碳化硅烧结工艺：先将α-SiC粉和石墨粉按比例混匀，经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下与液态Si接触，坯体中的C与渗入的Si反应，生成β-SiC，并与α-SiC相结合，过量的Si填充于气孔，从而得到无孔致密的反应烧结体。